通信科技/NEWS CENTER

英特尔发布4款3D闪存SSD,称密度有史以来最高

发布时间:2017-12-30

  英特尔发布了四款3D闪存SSD,声称是有史以来最高的密度

  英特尔推出了自己的3D NAND SSD,升级了三款NVMe SSD,四种型号,并声称拥有行业特定的3D NAND。现有的DS P3500,P3600和P3700产品采用20纳米MLC闪存技术,P3500和P3600于2014年6月推出,P3700于去年9月推出,P3608(两款采用SSD封装P3600)。直流P3500(DC表示数据中心)由P3320和即将到来的P3500取代。现有的P3600和P3700将由DC D3600和DC D3700替代。英特尔表示,密度在这里是英特尔/美光浮栅技术Gb / mm2高于SanDisk和三星电荷捕获技术。最终芯片密度是否高于三星目前的3D NAND供应商是另一回事,我们不能假设英特尔的3D NAND芯片密度比三星V-NAND芯片(目前48层,256Gbit)更高。上一代三星V-NAND 32层128Gbit芯片。英特尔还没有宣布自己的3D NAND芯片的能力。英特尔及其晶圆合作伙伴美光(Micron)都宣布了单位光刻纳米测量技术,但显然比替代的20纳米MLC平面技术更大。英特尔表示P3320 / 3520采用TLC NAND。英特尔已经为大多数新产品提供了读写性能方面的数据,但并没有宣布延迟或使用寿命。这就提出了这些新产品是否会比替代产品更好的问题(X-IO性能说明指出,800GB D3700支持驱动器每天写10次)。总的来说,英特尔宣称其3D NAND提供了1.3倍的读取和写入时间。下表列出了新旧产品的一些基本细节:绿线是新产品DC P3500被相同容量的DC P3320和DC P3520所取代。 P3520听起来像P3320,但现阶段英特尔没有提供任何性能数据,其性能和延迟都比P3320高出很多。英特尔表示,D3600和D3700是双端口,双端口NVMe SSD,可提供性能突破。英特尔表示双端口支持高可用性存储控制器。性能让我们看看下面的数据:绿线是新产品我们真的不能同意性能的突破,如果你比较P3600和D3600。 D3600的P3600随机IO性能,但连续的IO性能更差,D3700的随机写入性能和连续IO性能比P3700差,仅支持随机读取IO,P3320比P3500,P3520英特尔表示,这三款硬盘提供的IOPS是值得的,英特尔将P3320定位为读取密集型,温暖的存储,听起来像闪存近线存储,P3520侧重于使用在线和超融合系统,英特尔声称这两个新SSD占所有IO共享的98%,具有相同的性能特点,并且在其生命周期内性能下降不到5%X-IO Technologies提供了一些SAS性能数据SSD相比P3700产品*看起来不错,但这不相同,但是NVMe SSD和SAS SSD相比,现在X-IO拥有了新升级的ISE,DC D3700 SSD产品总结英特尔没有提供容量更新对于这些3D NAND固态硬盘以及性能改进仅适用于随机读取和写入,而不是连续的IO,这并不令人印象深刻;为什么?我们认为3D NAND产品是(或者将要)比同等容量的磁盘产品便宜,而第二代3D NAND将增加容量,大概是2倍或3倍。这些3D闪存固态硬盘并不是英特尔在这个竞争激烈的领域发挥的第一个芯片。让我们来看看WDC / SanDisk和东芝的产品,看他们和英特尔是否能在容量方面赶上三星。* X-IO存储阵列系统使用至强E52699v3,40英特尔DC D3700 10 DWPD 800GB,存储阵列系统使用Xeon E52699v3和40个SAS 10 DWPD 400GB固态硬盘,在共享存储阵列的QD1,2,4接入卷1上测试80/20读写工作负载的-8K传输。测量工具是IOMeter。

云顶娱乐平台

2017-12-30

更多内容,敬请关注:

云顶娱乐平台官网:/

云顶娱乐平台新浪官方微博:@云顶娱乐平台

云顶娱乐平台发布微信号: